JAN2N2905 Microchip / Microsemi
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3008.61 грн |
10+ | 2964.8 грн |
25+ | 2576.65 грн |
100+ | 2393.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN2N2905 Microchip / Microsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 800 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/290.
Інші пропозиції JAN2N2905
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
JAN2N2905 | Виробник : MOTOROLA |
на замовлення 35200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
JAN2N2905 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/290 |
товар відсутній |