на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1334.36 грн |
| 10+ | 1159.78 грн |
| 30+ | 926.5 грн |
| 60+ | 925.06 грн |
| 120+ | 875.43 грн |
| 510+ | 858.16 грн |
| 1020+ | 841.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGT32N120A3 IXYS
Description: IGBT PT 1200V 75A TO268AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 32A, Supplier Device Package: TO-268AA, IGBT Type: PT, Gate Charge: 89 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A, Power - Max: 300 W.
Інші пропозиції IXGT32N120A3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGT32N120A3 | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
IXGT32N120A3 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 32A; 300W; TO268 Mounting: SMD Case: TO268 Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Turn-off time: 1.38s Turn-on time: 239ns Pulsed collector current: 230A Collector current: 32A Gate charge: 89nC Gate-emitter voltage: ±20V Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Power dissipation: 300W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXGT32N120A3 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT PT 1200V 75A TO268AA Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 32A Supplier Device Package: TO-268AA IGBT Type: PT Gate Charge: 89 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A Power - Max: 300 W |
товар відсутній |
|
|
|
IXGT32N120A3 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 32A; 300W; TO268 Mounting: SMD Case: TO268 Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Turn-off time: 1.38s Turn-on time: 239ns Pulsed collector current: 230A Collector current: 32A Gate charge: 89nC Gate-emitter voltage: ±20V Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Power dissipation: 300W |
товар відсутній |