IS66WVC2M16EALL-7010BLI ISSI
Виробник: ISSI
SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 365.9 грн |
10+ | 327.58 грн |
25+ | 278.38 грн |
100+ | 263.28 грн |
250+ | 252.49 грн |
2880+ | 228.75 грн |
5280+ | 224.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS66WVC2M16EALL-7010BLI ISSI
Description: IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 54-VFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 32Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: PSRAM (Pseudo SRAM), Memory Format: PSRAM, Supplier Device Package: 54-VFBGA (6x8), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 70ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 70 ns, Memory Organization: 2M x 16.
Інші пропозиції IS66WVC2M16EALL-7010BLI
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IS66WVC2M16EALL-7010BLI | Виробник : ISSI | PSRAM Async Single Port 32M-bit 2M x 16 70ns 54-Pin VFBGA |
товар відсутній |
||
IS66WVC2M16EALL-7010BLI | Виробник : ISSI | WVC2M16EALL7010BLI Parallel SRAM memories - integ. circ. |
товар відсутній |
||
IS66WVC2M16EALL-7010BLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA Packaging: Tray Package / Case: 54-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 54-VFBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 2M x 16 |
товар відсутній |