Технічний опис IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.5÷3.6V; 55ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: PSRAM, Memory: 16Mb SRAM, Memory organisation: 1Mx16bit, Case: TFBGA48, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Operating voltage: 2.5...3.6V, Kind of package: reel; tape, Access time: 55ns, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR | Виробник : ISSI |
 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.5÷3.6V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: PSRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Case: TFBGA48 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Operating voltage: 2.5...3.6V Kind of package: reel; tape Access time: 55ns кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||
%20Renders/706;48TFBGA-1.2-6x8;;48.jpg "IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR") |
IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA |
товар відсутній |
|
| IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR | Виробник : ISSI |
SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v~3.6v,48 Ball BGA, RoHS |
товар відсутній |
||
| IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.5÷3.6V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: PSRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Case: TFBGA48 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Operating voltage: 2.5...3.6V Kind of package: reel; tape Access time: 55ns |
товар відсутній |