IS62WV25616EALL-55BLI ISSI
Виробник: ISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 1.65÷2.2V; 55ns; VFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 55ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Operating voltage: 1.65...2.2V
кількість в упаковці: 480 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS62WV25616EALL-55BLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 1.65÷2.2V; 55ns; VFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 4Mb SRAM, Memory organisation: 256kx16bit, Access time: 55ns, Case: VFBGA48, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Operating voltage: 1.65...2.2V, кількість в упаковці: 480 шт.
Інші пропозиції IS62WV25616EALL-55BLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IS62WV25616EALL-55BLI | Виробник : ISSI |
SRAM 4Mb Low Pwr/Pwr Svr Async 256Kx16 55ns |
товар відсутній |
||
| IS62WV25616EALL-55BLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 1.65÷2.2V; 55ns; VFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Access time: 55ns Case: VFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Operating voltage: 1.65...2.2V |
товар відсутній |