IS61WV6416DBLL-10TLI ISSI
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 135+ | 123.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61WV6416DBLL-10TLI ISSI
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 1Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 64K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS61WV6416DBLL-10TLI за ціною від 100.71 грн до 239.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61WV6416DBLL-10TLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
 Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP IIPackaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 64K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IS61WV6416DBLL-10TLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 10ns Case: TSOP44 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IS61WV6416DBLL-10TLI | Виробник : ISSI |
SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,64K x 16,8ns/3.3v or 10ns/2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IS61WV6416DBLL-10TLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 10ns Case: TSOP44 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|