на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1369.61 грн |
| 10+ | 1249.95 грн |
| 25+ | 1072.53 грн |
| 72+ | 927.94 грн |
| 288+ | 887.66 грн |
| 504+ | 882.62 грн |
| 1008+ | 826.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61NLP51236B-200TQLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 3ns; QFP100; parallel, Type of integrated circuit: SRAM memory, Case: QFP100, Mounting: SMD, Kind of package: in-tray; tube, Operating temperature: -40...85°C, Operating voltage: 3.3V, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 512kx36bit, Access time: 3ns, Kind of interface: parallel, Memory: 18Mb SRAM, кількість в упаковці: 72 шт.
Інші пропозиції IS61NLP51236B-200TQLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
%20Renders/706;-100LQFP-1.6-14x20;-;-100.jpg "IS61NLP51236B-200TQLI") |
IS61NLP51236B-200TQLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
 Description: IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
IS61NLP51236B-200TQLI | Виробник : ISSI |
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-bit 512K x 36 3ns 100-Pin LQFP |
товар відсутній |
|
| IS61NLP51236B-200TQLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 3ns; QFP100; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Case: QFP100 Mounting: SMD Kind of package: in-tray; tube Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx36bit Access time: 3ns Kind of interface: parallel Memory: 18Mb SRAM кількість в упаковці: 72 шт |
товар відсутній |
||
| IS61NLP51236B-200TQLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 3ns; QFP100; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Case: QFP100 Mounting: SMD Kind of package: in-tray; tube Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx36bit Access time: 3ns Kind of interface: parallel Memory: 18Mb SRAM |
товар відсутній |