IS61NLF51218A-7.5TQLI ISSI
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx18bit
Access time: 7.5ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 72 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx18bit
Access time: 7.5ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 72 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61NLF51218A-7.5TQLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100, Operating temperature: -40...85°C, Mounting: SMD, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 512kx18bit, Access time: 7.5ns, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Memory: 9Mb SRAM, Case: TQFP100, Operating voltage: 3.3V, кількість в упаковці: 72 шт.
Інші пропозиції IS61NLF51218A-7.5TQLI
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IS61NLF51218A-7.5TQLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 9MBIT 117MHZ 100TQFP |
товар відсутній |
||
IS61NLF51218A-7.5TQLI | Виробник : ISSI | SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS |
товар відсутній |
||
IS61NLF51218A-7.5TQLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100 Operating temperature: -40...85°C Mounting: SMD Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx18bit Access time: 7.5ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Case: TQFP100 Operating voltage: 3.3V |
товар відсутній |