Технічний опис IS46DR16320E-25DBLA2 ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA84, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: DDR2; SDRAM, Memory: 512Mb DRAM, Memory organisation: 8Mx16bitx4, Clock frequency: 400MHz, Access time: 12.5ns, Case: TWBGA84, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...105°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: in-tray; tube, Supply voltage: 1.7...1.9V DC, кількість в упаковці: 209 шт.
Інші пропозиції IS46DR16320E-25DBLA2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IS46DR16320E-25DBLA2 | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA84 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR2; SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 8Mx16bitx4 Clock frequency: 400MHz Access time: 12.5ns Case: TWBGA84 Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 1.7...1.9V DC кількість в упаковці: 209 шт |
товар відсутній |
||
IS46DR16320E-25DBLA2 | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ |
товар відсутній |
||
IS46DR16320E-25DBLA2 | Виробник : ISSI | DRAM 512M 1.8V 32Mx16 Ext Temp DDR2 |
товар відсутній |
||
IS46DR16320E-25DBLA2 | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA84 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR2; SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 8Mx16bitx4 Clock frequency: 400MHz Access time: 12.5ns Case: TWBGA84 Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 1.7...1.9V DC |
товар відсутній |