IS45S16160J-7BLA2 ISSI
Виробник: ISSI
DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 429.68 грн |
10+ | 387.15 грн |
25+ | 330.17 грн |
100+ | 294.21 грн |
250+ | 292.77 грн |
348+ | 275.5 грн |
1044+ | 269.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS45S16160J-7BLA2 ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TFBGA54, Mounting: SMD, Case: TFBGA54, Operating temperature: -40...105°C, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Memory: 256Mb DRAM, Supply voltage: 3...3.6V DC, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: SDRAM, Memory organisation: 4Mx16bitx4, Access time: 7ns, Clock frequency: 143MHz, кількість в упаковці: 348 шт.
Інші пропозиції IS45S16160J-7BLA2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IS45S16160J-7BLA2 | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TFBGA54 Mounting: SMD Case: TFBGA54 Operating temperature: -40...105°C Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 256Mb DRAM Supply voltage: 3...3.6V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory organisation: 4Mx16bitx4 Access time: 7ns Clock frequency: 143MHz кількість в упаковці: 348 шт |
товар відсутній |
||
IS45S16160J-7BLA2 | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SDRAM 256MB 143MHZ 54BGA |
товар відсутній |
||
IS45S16160J-7BLA2 | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TFBGA54 Mounting: SMD Case: TFBGA54 Operating temperature: -40...105°C Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 256Mb DRAM Supply voltage: 3...3.6V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory organisation: 4Mx16bitx4 Access time: 7ns Clock frequency: 143MHz |
товар відсутній |