IS43R16160F-5TLI ISSI
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 52-61 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 284.5 грн |
| 10+ | 254.79 грн |
| 108+ | 194.22 грн |
| 216+ | 193.5 грн |
| 540+ | 189.9 грн |
| 1080+ | 185.59 грн |
| 2592+ | 180.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43R16160F-5TLI ISSI
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 256Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V, Technology: SDRAM - DDR, Clock Frequency: 200 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 66-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 700 ps, Memory Organization: 16M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS43R16160F-5TLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS43R16160F-5TLI | Виробник : ISSI |
 DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II |
товар відсутній |
|
 |
IS43R16160F-5TLI | Виробник : ISSI |
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II |
товар відсутній |
|
| IS43R16160F-5TLI | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TSOP66 II Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR1; SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 4Mx16bitx4 Clock frequency: 200MHz Access time: 5ns Case: TSOP66 II Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 2.5V DC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
IS43R16160F-5TLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V Technology: SDRAM - DDR Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 66-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 700 ps Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
| IS43R16160F-5TLI | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TSOP66 II Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR1; SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 4Mx16bitx4 Clock frequency: 200MHz Access time: 5ns Case: TSOP66 II Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 2.5V DC |
товар відсутній |