IS43LR32800G-6BL ISSI
Виробник: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 2Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray; tube
Access time: 6ns
Clock frequency: 166MHz
Type of integrated circuit: DRAM memory
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 2Mx32bitx4
кількість в упаковці: 240 шт
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 2Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray; tube
Access time: 6ns
Clock frequency: 166MHz
Type of integrated circuit: DRAM memory
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 2Mx32bitx4
кількість в упаковці: 240 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43LR32800G-6BL ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 2Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90, Operating temperature: 0...70°C, Kind of package: in-tray; tube, Access time: 6ns, Clock frequency: 166MHz, Type of integrated circuit: DRAM memory, Supply voltage: 1.7...1.95V DC, Case: TFBGA90, Mounting: SMD, Kind of interface: parallel, Kind of memory: LPDDR; SDRAM, Memory: 256Mb DRAM, Memory organisation: 2Mx32bitx4, кількість в упаковці: 240 шт.
Інші пропозиції IS43LR32800G-6BL
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IS43LR32800G-6BL | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR 256M 166MHZ 90BGA |
товар відсутній |
||
IS43LR32800G-6BL | Виробник : ISSI | DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS |
товар відсутній |
||
IS43LR32800G-6BL | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 2Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90 Operating temperature: 0...70°C Kind of package: in-tray; tube Access time: 6ns Clock frequency: 166MHz Type of integrated circuit: DRAM memory Supply voltage: 1.7...1.95V DC Case: TFBGA90 Mounting: SMD Kind of interface: parallel Kind of memory: LPDDR; SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 2Mx32bitx4 |
товар відсутній |