IS43LR32160C-6BLI-TR ISSI
Виробник: ISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx32bitx4
Clock frequency: 166MHz
Access time: 6ns
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43LR32160C-6BLI-TR ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: LPDDR; SDRAM, Memory: 512Mb DRAM, Memory organisation: 4Mx32bitx4, Clock frequency: 166MHz, Access time: 6ns, Case: TFBGA90, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: reel; tape, Supply voltage: 1.7...1.95V DC, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції IS43LR32160C-6BLI-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
%20Renders/90-BGA%2013x8.jpg "IS43LR32160C-6BLI-TR") |
IS43LR32160C-6BLI-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA |
товар відсутній |
|
 |
IS43LR32160C-6BLI-TR | Виробник : ISSI |
DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR |
товар відсутній |
|
| IS43LR32160C-6BLI-TR | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: LPDDR; SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 4Mx32bitx4 Clock frequency: 166MHz Access time: 6ns Case: TFBGA90 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: reel; tape Supply voltage: 1.7...1.95V DC |
товар відсутній |