на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 71.84 грн |
10+ | 57.66 грн |
100+ | 38.99 грн |
500+ | 33.02 грн |
1000+ | 27.33 грн |
2000+ | 25.32 грн |
5000+ | 24.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLZ14PBF-BE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V, Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLZ14PBF-BE3 за ціною від 47.18 грн до 115.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLZ14PBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IRLZ14PBF-BE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |