IRLD024 Siliconix
Виробник: SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 10V; 140mOhm; 2,5A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; IRLD024 TIRLD024
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 22.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLD024 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLD024
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLD024 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP |
товар відсутній |
|
 |
IRLD024 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IRLD024 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLD024PBF |
товар відсутній |