Продукція > JGSEMI > IRFR3504ZTR

IRFR3504ZTR JGSEMI


IRFR3504Z%2C%20IRFU3504Z.pdf Виробник: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 50A; 54W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR3504Z; IRFR3504ZTRL; IRFR3504ZTR; IRFR3504ZTRR; SP001555064; SP001552130; SP001556956; IRFR3504ZTR JGSEMI TIRFR3504z JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+21.1 грн
Мінімальне замовлення: 50
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3504ZTR JGSEMI

Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR3504ZTR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR3504ZTR IRFR3504ZTR Виробник : Infineon Technologies IRFR3504Z%2C%20IRFU3504Z.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
товар відсутній