IRFPE50 Siliconix
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 1,2Ohm; 7,8A; 190W; -55°C ~ 150°C; IRFPE50 TIRFPE50
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 1,2Ohm; 7,8A; 190W; -55°C ~ 150°C; IRFPE50 TIRFPE50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 128.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFPE50 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFPE50 за ціною від 69.3 грн до 77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFPE50 Код товару: 4823 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 800 V Idd,A: 7,8 A Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3100/200 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|
|||||||
IRFPE50 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
||||||||
IRFPE50 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||
IRFPE50 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFPE50PBF |
товар відсутній |