IRFI640G Vishay
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 47.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI640G Vishay
Description: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFI640G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IRFI640G Код товару: 22414 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
IRFI640G | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
||
IRFI640G | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
IRFI640G | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI640GPBF |
товар відсутній |