IRFD9220 Vishay
Виробник: VishayTrans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP IRFD9220 IRFD9220 TIRFD9220
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 23.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD9220 Vishay
Description: MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 560mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 340mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFD9220
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFD9220 |
IRFD9220 Транзисторы HEXFET |
на замовлення 99 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||
 |
IRFD9220 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP |
товар відсутній |
|
 |
IRFD9220 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 560mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 340mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IRFD9220 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD9220PBF |
товар відсутній |