Продукція > HARRIS CORPORATION > IRFD9123
IRFD9123

IRFD9123 Harris Corporation

HRISD017-5-100.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 18723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
386+56.83 грн
Мінімальне замовлення: 386
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFD9123 Harris Corporation

Description: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFD9123

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFD9123 Виробник : Vishay nods.pdf Mosfet P-Ch 100V 1A 4-Dip
товар відсутній