Продукція > VISHAY > IRFD9020PBF
IRFD9020PBF

IRFD9020PBF Vishay


sihfd902.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1200+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 1200
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFD9020PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFD9020PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.28 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: HVMDIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції IRFD9020PBF за ціною від 30.42 грн до 137.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFD9020PBF IRFD9020PBF Виробник : Vishay sihfd902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
301+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 301
IRFD9020PBF IRFD9020PBF Виробник : VISHAY sihfd902.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -13A; 1.3W; HVMDIP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.3W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+68.41 грн
10+ 60.47 грн
27+ 32.15 грн
74+ 30.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFD9020PBF IRFD9020PBF Виробник : VISHAY sihfd902.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -13A; 1.3W; HVMDIP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.3W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.25 грн
10+ 72.56 грн
27+ 38.57 грн
74+ 36.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFD9020PBF IRFD9020PBF Виробник : Vishay / Siliconix sihfd902.pdf MOSFET 60V P-CH HEXFET MOSFET H
на замовлення 10441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.35 грн
10+ 83.55 грн
100+ 62.15 грн
250+ 61.57 грн
500+ 54.96 грн
1000+ 47.76 грн
2500+ 46.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFD9020PBF IRFD9020PBF Виробник : Vishay sihfd902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
126+97.51 грн
133+ 91.91 грн
Мінімальне замовлення: 126
IRFD9020PBF IRFD9020PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfd902.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.5 грн
10+ 93.74 грн
100+ 74.62 грн
500+ 59.25 грн
1000+ 50.27 грн
2000+ 47.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFD9020PBF IRFD9020PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD9020PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.28 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+137.99 грн
10+ 89.57 грн
100+ 68.75 грн
500+ 58.37 грн
1000+ 46.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFD9020PBF IRFD9020PBF Виробник : Vishay sihfd902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFD9020PBF IRFD9020PBF Виробник : Vishay sihfd902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
товар відсутній
IRFD9020PBF IRFD9020PBF Виробник : Vishay sihfd902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
товар відсутній