на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 192+ | 63.79 грн |
| 243+ | 50.24 грн |
| 500+ | 48.32 грн |
| 1000+ | 38.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD9010PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFD9010PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 1.1 A, 0.35 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: HVMDIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IRFD9010PBF за ціною від 33.35 грн до 117.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFD9010PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFD9010PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 2070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFD9010PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFD9010PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFD9010PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD9010PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 580mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V |
на замовлення 2797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD9010PBF | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRFD9010 |
на замовлення 2102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD9010PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD9010PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 1.1 A, 0.35 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: HVMDIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD9010PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRFD9010PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -1.1A; Idm: -8.8A; 1W; HVMDIP Case: HVMDIP Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 11nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -8.8A Drain-source voltage: -50V Drain current: -1.1A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IRFD9010PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -1.1A; Idm: -8.8A; 1W; HVMDIP Case: HVMDIP Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 11nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -8.8A Drain-source voltage: -50V Drain current: -1.1A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |