IRFD420 Siliconix
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 0.37A 500V 1W 3Ω IRFD420 IRFD420 TIRFD420
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 0.37A 500V 1W 3Ω IRFD420 IRFD420 TIRFD420
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 24.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD420 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 220mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFD420
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IRFD420 Код товару: 86636 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
IRFD420 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
IRFD420 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD420PBF |
товар відсутній |