на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 42.04 грн |
| 16+ | 40.17 грн |
| 100+ | 39.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD210PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFD210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 1.5 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції IRFD210PBF за ціною від 21.31 грн до 80.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFD210PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFD210PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 1924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFD210PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 1945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFD210PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.38A; 1W; DIP4 Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.38A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: DIP4 |
на замовлення 541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFD210PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 15653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFD210PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.38A; 1W; DIP4 Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.38A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: DIP4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 541 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFD210PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFD210PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 15653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFD210PBF | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 200V N-CH HEXFET HEXDI |
на замовлення 3543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFD210PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 1.5 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFD210PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFD210PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
IRFD210PBF Код товару: 118708 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|