на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 97.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBG30PBF-BE3 Vishay
Description: VISHAY - IRFBG30PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 1KV, 3.1A, TO-220AB, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: 0, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 0, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: IRFBG30 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0, directShipCharge: 25, SVHC: Lead.
Інші пропозиції IRFBG30PBF-BE3 за ціною від 73.89 грн до 173.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFBG30PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFBG30PBF-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET |
на замовлення 9473 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFBG30PBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V |
на замовлення 1373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFBG30PBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBG30PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 1KV, 3.1A, TO-220AB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IRFBG30 Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFBG30PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |