на замовлення 10728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 96.51 грн |
| 10+ | 85.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBG20PBF-BE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFBG20PBF-BE3 за ціною від 52.71 грн до 178.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFBG20PBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
на замовлення 1534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFBG20PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||
| IRFBG20PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Surface Mount Fast Switching, Low Resistance Power MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||
| IRFBG20PBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB Mounting: THT Drain-source voltage: 1kV Power dissipation: 54W Case: TO220AB Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 5.6A Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 11Ω Drain current: 1.4A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| IRFBG20PBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB Mounting: THT Drain-source voltage: 1kV Power dissipation: 54W Case: TO220AB Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 5.6A Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 11Ω Drain current: 1.4A |
товар відсутній |