IRFBF30
Код товару: 18169
Виробник: IRUds,V: 900 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 3,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/78
Монтаж: THT
у наявності 8 шт:
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 27.00 грн |
| 10+ | 23.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBF30 IR
- MOSFET, N TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:3.6A
- On State Resistance:3.7ohm
- Case Style:TO-220AB
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:900V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:125W
- Power Dissipation Pd:125W
- Pulse Current Idm:14A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRFBF30 за ціною від 50.12 грн до 50.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFBF30 | Виробник : Siliconix |
N-MOSFET 3.6A 900V 125W 3.7Ω IRFBF30 TIRFBF30 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
IRFBF30 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRFBF30 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRFBF30 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB |
товару немає в наявності |