IRF8304MTRPBF

IRF8304MTRPBF Infineon Technologies


IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 4408 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
356+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 356
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8304MTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MX, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA, Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRF8304MTRPBF за ціною від 57.33 грн до 140.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF8304MTRPBF IRF8304MTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF8304M_DataSheet_v01_01_EN-3166128.pdf MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.99 грн
10+ 124.08 грн
100+ 87.76 грн
500+ 73.37 грн
1000+ 61.93 грн
2500+ 58.91 грн
4800+ 57.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF8304MTRPBF IRF8304MTRPBF Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF8304MTRPBF - IRF8304 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF8304MTRPBF Виробник : Infineon IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8304mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d20db1d5d
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF8304MTRPBF IRF8304MTRPBF Виробник : Infineon Technologies 559irf8304mpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товар відсутній
IRF8304MTRPBF IRF8304MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8304m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товар відсутній
IRF8304MTRPBF IRF8304MTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8304mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d20db1d5d Description: MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товар відсутній