Технічний опис IRF7205TRPBF
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P Channel
- Continuous Drain Current, Id:-4.6A
- On Resistance, Rds(on):130mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
- Package/Case:8-SO
- Power Dissipation, Pd:2.5W
Інші пропозиції IRF7205TRPBF за ціною від 11.58 грн до 83.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7205TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.6A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC |
на замовлення 8493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7205TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.6A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2843 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V |
на замовлення 12051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRF7205TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7205TRPBF - MOSFET, P-KANAL, -30V, 4.6A, SOIC tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 3082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF7205TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
SO-8 |
на замовлення 97 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IRF7205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |