IRF5804TRPBF

IRF5804TRPBF Infineon Technologies


irf5804pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF5804TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF5804TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF5804TRPBF IRF5804TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRF5804PbF.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF5804TRPBF IRF5804TRPBF Виробник : Infineon / IR irf5804-1169351.pdf MOSFET MOSFT PCh -40V -2.5A 198mOhm 5.7nC
товар відсутній