Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP139N08N3G
IPP139N08N3G

IPP139N08N3G Infineon Technologies

INFN-S-A0001299567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
на замовлення 15437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
495+42.63 грн
Мінімальне замовлення: 495
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP139N08N3G Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V.

Інші пропозиції IPP139N08N3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP139N08N3G Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS INFN-S-A0001299567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP139N08N3G - IPP139N08 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP139N08N3 G IPP139N08N3 G Виробник : Infineon Technologies IP(P,I,B)136N08N3_G.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
товар відсутній
IPP139N08N3 G IPP139N08N3 G Виробник : Infineon Technologies IPP139N08N3_Rev2.5-97962.pdf MOSFET N-Ch 80V 45A TO220-3 OptiMOS 3
товар відсутній