на замовлення 1329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 205.61 грн |
| 10+ | 168.76 грн |
| 100+ | 116.53 грн |
| 250+ | 107.9 грн |
| 500+ | 97.83 грн |
| 1000+ | 88.48 грн |
| 2500+ | 76.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD95R450PFD7ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPD95R450PFD7ATMA1 за ціною від 80.07 грн до 223.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD95R450PFD7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPD95R450PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 13.3 A, 0.35 ohm, TO-252 (DPAK), DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V Dauer-Drainstrom Id: 13.3A hazardous: true Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPD95R450PFD7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V |
на замовлення 2468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
IPD95R450PFD7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 13.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| IPD95R450PFD7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V |
товар відсутній |