IPC100N04S5-2R8 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Power dissipation: 75W
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPC100N04S5-2R8 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8, Technology: OptiMOS™ 5, Mounting: SMD, Case: PG-TDSON-8, Power dissipation: 75W, Drain current: 100A, On-state resistance: 2.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 45nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 40V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPC100N04S5-2R8
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPC100N04S5-2R8 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8 Technology: OptiMOS™ 5 Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Power dissipation: 75W Drain current: 100A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 45nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V |
товар відсутній |