IPB80N06S208ATMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 150.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB80N06S208ATMA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 58A, 10V, Power Dissipation (Max): 215W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IPB80N06S208ATMA2 за ціною від 272.53 грн до 272.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB80N06S208ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| IPB80N06S208ATMA2 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
 |
IPB80N06S208ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||
 |
IPB80N06S208ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 215W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
 |
IPB80N06S208ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_)40V 60V) |
товар відсутній |