IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

на замовлення 1600 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
800+	73.39 грн
1600+	59.97 грн

Мінімальне замовлення: 800

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції IPB029N06NF2SATMA1 за ціною від 55.24 грн до 142.67 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	IPB029N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V	на замовлення 1613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 3+ 130.72 грн 10+  104.9 грн 100+  83.53 грн Мінімальне замовлення: 3 купити
	IPB029N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFETs N	на замовлення 855 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 3+ 142.67 грн 10+  117.47 грн 100+  81.28 грн 250+  74.81 грн 500+  68.26 грн 800+  58.12 грн 2400+  55.24 грн Мінімальне замовлення: 3 купити
	IPB029N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	товар відсутній	купити