Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG65R072M1HXTMA1
IMBG65R072M1HXTMA1

IMBG65R072M1HXTMA1 Infineon Technologies

infineon-imbg65r072m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+553.48 грн
10+ 533.62 грн
25+ 530.07 грн
50+ 505.17 грн
100+ 438.95 грн
250+ 415.57 грн
500+ 392.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG65R072M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 140W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IMBG65R072M1HXTMA1 за ціною від 320.54 грн до 1050.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IMBG65R072M1HXTMA1 IMBG65R072M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49e7997e15a5 Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+563.36 грн
10+ 464.49 грн
100+ 387.1 грн
500+ 320.54 грн
IMBG65R072M1HXTMA1 IMBG65R072M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg65r072m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+596.06 грн
22+ 574.67 грн
25+ 570.84 грн
50+ 544.03 грн
100+ 472.72 грн
250+ 447.53 грн
500+ 423.13 грн
Мінімальне замовлення: 21
IMBG65R072M1HXTMA1 IMBG65R072M1HXTMA1 Виробник : INFINEON 3671355.pdf Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+907.01 грн
50+ 770.29 грн
100+ 644.63 грн
250+ 631.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMBG65R072M1HXTMA1 IMBG65R072M1HXTMA1 Виробник : INFINEON 3671355.pdf Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1050.64 грн
5+ 978.82 грн
10+ 907.01 грн
50+ 770.29 грн
100+ 644.63 грн
250+ 631.49 грн
IMBG65R072M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMBG65R072M1H_DataSheet_v02_00_EN-3163923.pdf MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+875.31 грн
10+ 779.25 грн
100+ 561.08 грн
500+ 489.15 грн
1000+ 434.48 грн
2000+ 418.65 грн
5000+ 408.58 грн
IMBG65R072M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg65r072m1h-datasheet-v02_00-en.pdf SP005539178
товар відсутній
IMBG65R072M1HXTMA1 IMBG65R072M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49e7997e15a5 Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
товар відсутній