Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG65R007M2HXTMA1
IMBG65R007M2HXTMA1

IMBG65R007M2HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMBG65R007M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dd631e55252b0 Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 146.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.97mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2672.08 грн
10+ 2373.2 грн
25+ 2266.53 грн
100+ 1901.85 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG65R007M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: SICFET N-CH 650V 238A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 146.3A, 18V, Power Dissipation (Max): 789W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.97mA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-12, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IMBG65R007M2HXTMA1 за ціною від 1922.06 грн до 2977.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IMBG65R007M2HXTMA1 IMBG65R007M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMBG65R007M2H_DataSheet_v01_00_EN-3422249.pdf SiC MOSFETs Y
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2977.56 грн
10+ 2655.42 грн
25+ 2186.77 грн
50+ 2147.93 грн
100+ 2001.9 грн
250+ 1960.18 грн
500+ 1922.06 грн
IMBG65R007M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG65R007M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dd631e55252b0 IMBG65R007M2HXTMA1
товар відсутній
IMBG65R007M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG65R007M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dd631e55252b0 IMBG65R007M2HXTMA1
товар відсутній
IMBG65R007M2HXTMA1 IMBG65R007M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG65R007M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dd631e55252b0 Description: SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 146.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.97mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
товар відсутній