HMV4P1P02S MULTICOMP PRO
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - HMV4P1P02S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro P Channel MOSFETs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: MULTICOMP PRO - HMV4P1P02S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro P Channel MOSFETs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 33.77 грн |
| 29+ | 27.37 грн |
| 100+ | 19.42 грн |
| 500+ | 12.6 грн |
| 1000+ | 8.36 грн |
| 5000+ | 7.29 грн |
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Технічний опис HMV4P1P02S MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - HMV4P1P02S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro P Channel MOSFETs, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).