GT15J341,S4X(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220FP
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Power dissipation: 30W
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±25V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 320ns
Type of transistor: IGBT
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220FP
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Power dissipation: 30W
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±25V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 320ns
Type of transistor: IGBT
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 107.15 грн |
10+ | 89.17 грн |
27+ | 84.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT15J341,S4X(S TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220FP, Mounting: THT, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Kind of package: tube, Case: TO220FP, Power dissipation: 30W, Collector current: 15A, Pulsed collector current: 60A, Collector-emitter voltage: 600V, Gate-emitter voltage: ±25V, Turn-on time: 180ns, Turn-off time: 320ns, Type of transistor: IGBT, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції GT15J341,S4X(S за ціною від 101.61 грн до 154.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GT15J341,S4X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220FP Mounting: THT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Kind of package: tube Case: TO220FP Power dissipation: 30W Collector current: 15A Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±25V Turn-on time: 180ns Turn-off time: 320ns Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 193 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
GT15J341,S4X(S) | Виробник : Toshiba | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||
GT15J341,S4X(S | Виробник : Toshiba | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
товар відсутній |