GD2X30MPS12N GENESIC SEMICONDUCTOR
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X30MPS12N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 104 A, 97 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 97nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2289.3 грн |
| 5+ | 2160.19 грн |
| 10+ | 2031.08 грн |
| 50+ | 1838.8 грн |
| 100+ | 1653.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD2X30MPS12N GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X30MPS12N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 104 A, 97 nC, SOT-227, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-227, Kapazitive Gesamtladung: 97nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: MPS Gen IV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції GD2X30MPS12N за ціною від 2103.4 грн до 2705.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD2X30MPS12N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: 1200V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY M |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
GD2X30MPS12N | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 30Ax2; SOT227B; screw Type of module: diode Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 60A Max. forward voltage: 1.5V Load current: 30A x2 Semiconductor structure: double independent Reverse recovery time: 10ns Max. forward impulse current: 240A Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: MPS Technology: SiC Case: SOT227B кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
| GD2X30MPS12N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товар відсутній |
||||||||||||
| GD2X30MPS12N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товар відсутній |
||||||||||||
| GD2X30MPS12N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товар відсутній |
||||||||||||
| GD2X30MPS12N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товар відсутній |
||||||||||||
|
|
GD2X30MPS12N | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 30Ax2; SOT227B; screw Type of module: diode Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 60A Max. forward voltage: 1.5V Load current: 30A x2 Semiconductor structure: double independent Reverse recovery time: 10ns Max. forward impulse current: 240A Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: MPS Technology: SiC Case: SOT227B |
товар відсутній |