GD2X30MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of module: diode
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 60A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 168A
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: SOT227B
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of module: diode
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 60A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 168A
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: SOT227B
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1636.48 грн |
2+ | 1436.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD2X30MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules, Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw, Type of module: diode, Max. off-state voltage: 650V, Max. load current: 60A, Max. forward voltage: 1.5V, Load current: 30A x2, Semiconductor structure: double independent, Reverse recovery time: 10ns, Max. forward impulse current: 168A, Kind of package: tube, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Features of semiconductor devices: MPS, Technology: SiC, Case: SOT227B, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції GD2X30MPS06N за ціною від 1538.06 грн до 2171.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GD2X30MPS06N | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw Type of module: diode Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 60A Max. forward voltage: 1.5V Load current: 30A x2 Semiconductor structure: double independent Reverse recovery time: 10ns Max. forward impulse current: 168A Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: MPS Technology: SiC Case: SOT227B кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
GD2X30MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
GD2X30MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
GD2X30MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||
GD2X30MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
товар відсутній |