GB2X50MPS12-227 GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 93A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 93A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Description: DIODE MOD SIC 1200V 93A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 93A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5817.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GB2X50MPS12-227 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 93A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 93A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GB2X50MPS12-227 за ціною від 4643.3 грн до 11714.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GB2X50MPS12-227 | Виробник : GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 2981 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
GB2X50MPS12-227 | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
GB2X50MPS12-227 | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||
GB2X50MPS12-227 | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 186A Automotive 4-Pin SOT-227 |
товар відсутній |
||||||||||||
GB2X50MPS12-227 | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227 |
товар відсутній |
||||||||||||
GB2X50MPS12-227 | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227 |
товар відсутній |
||||||||||||
GB2X50MPS12-227 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR | GB2X50MPS12-227 Diode modules |
товар відсутній |