GB2X100MPS12-227 GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 185A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 185A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
Description: DIODE MOD SIC 1200V 185A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 185A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 9583.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GB2X100MPS12-227 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 185A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 185A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GB2X100MPS12-227 за ціною від 9432.94 грн до 19875.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GB2X100MPS12-227 | Виробник : GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
GB2X100MPS12-227 | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Power |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
GB2X100MPS12-227 | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Power |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
GB2X100MPS12-227 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 100Ax2; SOT227B; 200A Type of module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 100A x2 Case: SOT227B Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 800A Electrical mounting: screw Max. load current: 200A Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: MPS Kind of package: tube Technology: SiC Reverse recovery time: 10ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
GB2X100MPS12-227 | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Power |
товар відсутній |
||||||||
GB2X100MPS12-227 | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Power |
товар відсутній |
||||||||
GB2X100MPS12-227 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 100Ax2; SOT227B; 200A Type of module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 100A x2 Case: SOT227B Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 800A Electrical mounting: screw Max. load current: 200A Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: MPS Kind of package: tube Technology: SiC Reverse recovery time: 10ns |
товар відсутній |