GB01SLT12-220 GeneSiC Semiconductor
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GB01SLT12-220 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 1A TO220-2, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GB01SLT12-220
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
GB01SLT12-220 | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 1A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товар відсутній |
||
GB01SLT12-220 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 1A TO220-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V |
товар відсутній |