Продукція > ONSEMI > FP102-TL-E

FP102-TL-E ONSEMI


000307966.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FP102-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 11 V, 3 A, 1.3 W, PCP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PCP
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 241000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
331+77.87 грн
Мінімальне замовлення: 331
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP102-TL-E ONSEMI

Description: ONSEMI - FP102-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 11 V, 3 A, 1.3 W, PCP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: PCP, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).