FMMT723QTA Diodes Inc
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FMMT723QTA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - FMMT723QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 806 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 806mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FMMT723QTA за ціною від 13.05 грн до 47.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FMMT723QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS PNP 100V 1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 150mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 231000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FMMT723QTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 806mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FMMT723QTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 806mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FMMT723QTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 806mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FMMT723QTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT723QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 806 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FMMT723QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 100V 1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 150mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 236640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FMMT723QTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT723QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 806 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FMMT723QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 100V PNP Low Sat 625mW -1A 210mOhm |
на замовлення 23272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FMMT723QTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 806mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FMMT723QTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 806mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |