Продукція > ONSEMI > FGY4L160T120SWD
FGY4L160T120SWD

FGY4L160T120SWD onsemi


fgy4l160t120swd-d.pdf Виробник: onsemi
Description: 1200V 160A FS7 IGBT TP247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 264.1 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60.8ns/236.8ns
Switching Energy: 4.2mJ (on), 5.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 160A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 474 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 640 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 3377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1060.58 грн
10+ 719.41 грн
100+ 548.66 грн
500+ 496.26 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGY4L160T120SWD onsemi

Description: 1200V 160A FS7 IGBT TP247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 264.1 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 160A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 60.8ns/236.8ns, Switching Energy: 4.2mJ (on), 5.9mJ (off), Test Condition: 600V, 160A, 4Ohm, 15V, Gate Charge: 474 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 640 A, Power - Max: 1500 W.

Інші пропозиції FGY4L160T120SWD

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FGY4L160T120SWD Виробник : ON Semiconductor fgy4l160t120swd-d.pdf 1200V 160A FS7 IGBT TP247-4L
товар відсутній
FGY4L160T120SWD FGY4L160T120SWD Виробник : onsemi FGY4L160T120SWD_D-3473672.pdf IGBTs 1200V 160A FS7 IGBT TP247-4L
товар відсутній