EMH3T2R Rohm Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1505+ | 8.11 грн |
1555+ | 7.85 грн |
2500+ | 7.61 грн |
5000+ | 7.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMH3T2R Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: EMT6.
Інші пропозиції EMH3T2R за ціною від 5.48 грн до 37.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
EMH3T2R | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin EMT T/R |
на замовлення 7870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
EMH3T2R | Виробник : ROHM Semiconductor | Digital Transistors DUAL NPN 50V 100MA |
на замовлення 7913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
EMH3T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
на замовлення 8173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
EMH3T2R | Виробник : ROHM | 08+ SMD |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
EMH3 T2R | Виробник : ROHM | EMT6 SOT563 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
EMH3T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; 4.7kΩ Mounting: SMD Case: SOT563 Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 100...600 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN x2 кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
EMH3T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
EMH3T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; 4.7kΩ Mounting: SMD Case: SOT563 Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 100...600 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN x2 |
товар відсутній |