Продукція > ROHM > DTC143ZE3HZGTL
DTC143ZE3HZGTL

DTC143ZE3HZGTL ROHM


dtc143ze3hzgtl-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC143ZE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+12.67 грн
124+ 6.54 грн
500+ 4.35 грн
1000+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC143ZE3HZGTL ROHM

Description: ROHM - DTC143ZE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTC143ZE3HZGTL за ціною від 2.42 грн до 28.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DTC143ZE3HZGTL DTC143ZE3HZGTL Виробник : ROHM dtc143ze3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTC143ZE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
47+17.27 грн
64+ 12.67 грн
124+ 6.54 грн
500+ 4.35 грн
1000+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 47
DTC143ZE3HZGTL DTC143ZE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor dtc143ze3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
466+26.23 грн
924+ 13.22 грн
984+ 12.4 грн
1053+ 11.18 грн
Мінімальне замовлення: 466
DTC143ZE3HZGTL DTC143ZE3HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC143ZE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+27.36 грн
20+ 16.71 грн
100+ 6.76 грн
1000+ 5.75 грн
3000+ 3.81 грн
9000+ 3.17 грн
Мінімальне замовлення: 13
DTC143ZE3HZGTL DTC143ZE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC143ZE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.79 грн
16+ 19.41 грн
100+ 9.79 грн
500+ 7.49 грн
1000+ 5.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTC143ZE3HZGTL DTC143ZE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor dtc143ze3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTC143ZE3HZGTL
Код товару: 196419
datasheet?p=DTC143ZE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
DTC143ZE3HZGTL DTC143ZE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC143ZE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній