Продукція > ROHM > DTC124ESATP

DTC124ESATP ROHM


dtc124ee.pdf Виробник: ROHM

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC124ESATP ROHM

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.03A SPT, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: SC-72 Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: SPT, Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 300 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.

Інші пропозиції DTC124ESATP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DTC124ESATP DTC124ESATP Виробник : Rohm Semiconductor dtc124ee.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.03A SPT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товар відсутній
DTC124ESATP Виробник : ROHM Semiconductor rohm semiconductor_dtc124ee-1201470.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 30MA
товар відсутній
DTC124ESA-TP Виробник : Micro Commercial Components (MCC) Bipolar Transistors - Pre-Biased
товар відсутній